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70V3589S166DR

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Référence 70V3589S166DR
Fabricant IDT (Integrated Device Technology)
La description IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 5229 pcs
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Référence 70V3589S166DR Fabricant IDT (Integrated Device Technology)
La description IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 5229 pcs Fiche technique IDT70V3599,89SIDT Suffixes
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Tension - Alimentation 3.15 V ~ 3.45 V La technologie SRAM - Dual Port, Synchronous
Package composant fournisseur 208-PQFP (28x28) Séries -
Emballage Tray Package / Boîte 208-BFQFP
Autres noms IDT70V3589S166DR
IDT70V3589S166DR-ND
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Type de mémoire Volatile Taille mémoire 2Mb (64K x 36)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire SRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Description détaillée SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 166MHz 3.6ns 208-PQFP (28x28)
Fréquence d'horloge 166MHz Numéro de pièce de base IDT70V3589
Temps d'accès 3.6ns

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IDT (Integrated Device Technology) 70V3589S166DR 70V3589S166DR distributeur Fournisseur 70V3589S166DR 70V3589S166DR prix 70V3589S166DR Download Datasheet 70V3589S166DR Datasheet Actions 70V3589S166DRacheter 70V3589S166DR IDT (Integrated Device Technology) 70V3589S166DR IDT 70V3589S166DR IDT (Integrated Device Technology) 70V3589S166DR IDT, Integrated Device Technology Inc 70V3589S166DR Integrated Device Technology (IDT) 70V3589S166DR