70V657S12DRI
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| Référence | 70V657S12DRI |
|---|---|
| Fabricant | IDT (Integrated Device Technology) |
| La description | IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 70V657S12DRI | Fabricant | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|---|---|
| La description | IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 4682 pcs | Fiche technique | IDT SuffixesIDT70V659/58/57S |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Tension - Alimentation | 3.15 V ~ 3.45 V | La technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Package composant fournisseur | 208-PQFP (28x28) | Séries | - |
| Emballage | Tray | Package / Boîte | 208-BFQFP |
| Autres noms | 800-2318 IDT70V657S12DRI IDT70V657S12DRI-ND |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire | Volatile | Taille mémoire | 1.125Mb (32K x 36) |
| Interface mémoire | Parallel | Format de mémoire | SRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Description détaillée | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 12ns 208-PQFP (28x28) |
| Numéro de pièce de base | IDT70V657 | Temps d'accès | 12ns |
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