71V124SA10YG

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| Référence | 71V124SA10YG |
|---|---|
| Fabricant | IDT (Integrated Device Technology) |
| La description | IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 575 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.614 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 71V124SA10YG | Fabricant | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|---|---|
| La description | IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 52139 pcs | Fiche technique | IDT71V124SA |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10ns |
| Tension - Alimentation | 3.15 V ~ 3.6 V | La technologie | SRAM - Asynchronous |
| Package composant fournisseur | 32-SOJ | Séries | - |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| Autres noms | IDT71V124SA10YG IDT71V124SA10YG-ND |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire | Volatile | Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) |
| Interface mémoire | Parallel | Format de mémoire | SRAM |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 10ns 32-SOJ | Numéro de pièce de base | IDT71V124 |
| Temps d'accès | 10ns |
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- Partie#:
PZM24NB1,115 - Fabricant:
NXP USA Inc. - La description:
DIODE ZENER 24V 300MW SMT3 - En stock:
4305
