71V416S12YG8
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| Référence | 71V416S12YG8 |
|---|---|
| Fabricant | IDT (Integrated Device Technology) |
| La description | IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.064 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 71V416S12YG8 | Fabricant | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|---|---|
| La description | IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 30648 pcs | Fiche technique | IDT71V416S/L |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Tension - Alimentation | 3 V ~ 3.6 V | La technologie | SRAM - Asynchronous |
| Package composant fournisseur | 44-SOJ | Séries | - |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| Autres noms | IDT71V416S12YG8 IDT71V416S12YG8-ND |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire | Volatile | Taille mémoire | 4Mb (256K x 16) |
| Interface mémoire | Parallel | Format de mémoire | SRAM |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 12ns 44-SOJ | Numéro de pièce de base | IDT71V416 |
| Temps d'accès | 12ns |
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