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71V65903S80BQ

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Référence 71V65903S80BQ
Fabricant IDT (Integrated Device Technology)
La description IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 5787 pcs
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$5.723

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Référence 71V65903S80BQ Fabricant IDT (Integrated Device Technology)
La description IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 5787 pcs Fiche technique IDT SuffixesIDT71V65703/903
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Tension - Alimentation 3.135 V ~ 3.465 V La technologie SRAM - Synchronous ZBT
Package composant fournisseur 165-CABGA (13x15) Séries -
Emballage Tray Package / Boîte 165-TBGA
Autres noms IDT71V65903S80BQ
IDT71V65903S80BQ-ND
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Type de mémoire Volatile Taille mémoire 9Mb (512K x 18)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire SRAM
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 8ns 165-CABGA (13x15) Numéro de pièce de base IDT71V65903
Temps d'accès 8ns

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