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IDT70P3307S233RMI

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OMRON AUTOMATION & SAFETYLes images sont fournies à titre indicatif.
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Référence IDT70P3307S233RMI
Fabricant IDT (Integrated Device Technology)
La description IC SRAM 18M PARALLEL 576FCBGA
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 4041 pcs
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Référence IDT70P3307S233RMI Fabricant IDT (Integrated Device Technology)
La description IC SRAM 18M PARALLEL 576FCBGA État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 4041 pcs Fiche technique IDT70P3307/37
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Tension - Alimentation 1.7 V ~ 1.9 V La technologie SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
Package composant fournisseur 576-FCBGA (25x25) Séries -
Emballage Tray Package / Boîte 576-BBGA, FCBGA
Autres noms 70P3307S233RMI Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 4 (72 Hours)
Type de mémoire Volatile Taille mémoire 18Mb (1M x 18)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire SRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Description détaillée SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 233MHz 7.2ns 576-FCBGA (25x25)
Fréquence d'horloge 233MHz Numéro de pièce de base IDT70P3307
Temps d'accès 7.2ns

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