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IXDI502SIAT/R

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Référence IXDI502SIAT/R
Fabricant IXYS Corporation
La description IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 8SOIC
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4712 pcs
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Référence IXDI502SIAT/R Fabricant IXYS Corporation
La description IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 8SOIC État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4712 pcs Fiche technique IXD(F,I,N)502
Catégorie Circuits intégrés (ci) Tension - Alimentation 4.5 V ~ 30 V
Package composant fournisseur 8-SOIC Séries -
Rise / Fall Time (Typ) 7.5ns, 6.5ns Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Autres noms IXDI502SIACT
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Nombre de conducteurs 2
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 3V Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Inverting Type de porte IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Configuration pilotée Low-Side Description détaillée Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
Current - Peak Output (Source, Évier) 2A, 2A courant de charge Independent
Numéro de pièce de base IXD*502

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