IXFC36N50P
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| Référence | IXFC36N50P |
|---|---|
| Fabricant | IXYS Corporation |
| La description | MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IXFC36N50P | Fabricant | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5935 pcs | Fiche technique | IXF(C,R)36N50P |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | ISOPLUS220™ | Séries | HiPerFET™, PolarHT™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 18A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 156W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | ISOPLUS220™ |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 500V |
| Description détaillée | N-Channel 500V 19A (Tc) 156W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™ | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 19A (Tc) |
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