IXFD80N20Q-8XQ
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| Référence | IXFD80N20Q-8XQ |
|---|---|
| Fabricant | IXYS Corporation |
| La description | MOSFET N-CHANNEL 200V DIE |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | IXFD80N20Q-8XQ | Fabricant | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CHANNEL 200V DIE | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5677 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Vgs (Max) | - | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | Die | Séries | HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | Dissipation de puissance (max) | - |
| Package / Boîte | Die | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | - | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - |
| Tension drain-source (Vdss) | 200V | Description détaillée | N-Channel 200V Die |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - |
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