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IXFN102N30P

IXFN102N30P
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Référence IXFN102N30P
Fabricant IXYS
La description MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 5163 pcs
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Référence IXFN102N30P Fabricant IXYS
La description MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5163 pcs Fiche technique IXFN102N30P
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Test 7500pF @ 25V
Tension - Ventilation SOT-227B Vgs (th) (Max) @ Id 33 mOhm @ 500mA, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Séries PolarHV™
État RoHS Tube Rds On (Max) @ Id, Vgs 88A
Polarisation SOT-227-4, miniBLOC Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks Référence fabricant IXFN102N30P
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 224nC @ 10V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5V @ 4mA
Fonction FET N-Channel Description élargie N-Channel 300V 88A 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Tension drain-source (Vdss) - La description MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300V Ratio de capacité 600W (Tc)

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