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IXFN80N50

IXFN80N50
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Référence IXFN80N50
Fabricant IXYS Corporation
La description MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 3058 pcs
Référence Prix
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Référence IXFN80N50 Fabricant IXYS Corporation
La description MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 3058 pcs Fiche technique IXFN80N50
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-227B Séries HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 500mA, 10V Dissipation de puissance (max) 700W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Chassis Mount
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9890pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 380nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 500V
Description détaillée N-Channel 500V 66A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 66A (Tc)

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