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IXFP10N80P

IXFP10N80P
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Référence IXFP10N80P
Fabricant IXYS Corporation
La description MOSFET N-CH 800V 10A TO-220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 23502 pcs
Référence Prix
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Référence IXFP10N80P Fabricant IXYS Corporation
La description MOSFET N-CH 800V 10A TO-220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 23502 pcs Fiche technique IXF(A,P,Q,H)10N80P
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries HiPerFET™, PolarHT™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 5A, 10V Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2050pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 800V Description détaillée N-Channel 800V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)

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