IXFV52N30P
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| Référence | IXFV52N30P |
|---|---|
| Fabricant | IXYS Corporation |
| La description | MOSFET N-CH 300V 52A PLUS220 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IXFV52N30P | Fabricant | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 300V 52A PLUS220 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4340 pcs | Fiche technique | IXF(H,V)52N30P(S) |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PLUS220 | Séries | PolarHT™ HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66 mOhm @ 500mA, 10V | Dissipation de puissance (max) | 400W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3, Short Tab |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3490pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 300V |
| Description détaillée | N-Channel 300V 52A (Tc) 400W (Tc) Through Hole PLUS220 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 52A (Tc) |
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- Partie#:
SR1206MR-078K2L - Fabricant:
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1028616