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IXGX32N170AH1

IXGX32N170AH1
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Référence IXGX32N170AH1
Fabricant IXYS Corporation
La description IGBT 1700V 32A 350W PLUS247
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 3946 pcs
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Référence IXGX32N170AH1 Fabricant IXYS Corporation
La description IGBT 1700V 32A 350W PLUS247 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 3946 pcs Fiche technique IXGX32N170AH1
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1700V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 5V @ 15V, 21A Condition de test 850V, 32A, 2.7 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 27ns/270ns énergie de commutation 4.1mJ (on), 1.25mJ (off)
Package composant fournisseur PLUS247™-3 Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 150ns Puissance - Max 350W
Emballage Bulk Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT NPT
gate charge 157nC Description détaillée IGBT NPT 1700V 32A 350W Through Hole PLUS247™-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 110A Courant - Collecteur (Ic) (max) 32A
Numéro de pièce de base IXG*32N170

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