IXTH10P60
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| Référence | IXTH10P60 |
|---|---|
| Fabricant | IXYS Corporation |
| La description | MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.771 | $3.092 | $2.79 | $2.338 | ||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IXTH10P60 | Fabricant | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 13660 pcs | Fiche technique | IXT(H,T)10P60 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-247 (IXTH) | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 5A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Autres noms | Q1152201 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4700pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | P-Channel 600V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 10A (Tc) |
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