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IXTH26P20P

IXTH26P20P
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Référence IXTH26P20P
Fabricant IXYS Corporation
La description MOSFET P-CH 200V 26A TO-247
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 26096 pcs
Référence Prix
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Référence IXTH26P20P Fabricant IXYS Corporation
La description MOSFET P-CH 200V 26A TO-247 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 26096 pcs Fiche technique IX(T,H,P,Q)A26P20P
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH) Séries PolarP™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 13A, 10V Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2740pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V type de FET P-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 200V Description détaillée P-Channel 200V 26A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Tc)

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