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IXTH40N50L2

IXTH40N50L2
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Référence IXTH40N50L2
Fabricant IXYS Corporation
La description MOSFET N-CH 500V 40A TO-247
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 8364 pcs
Référence Prix
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Référence IXTH40N50L2 Fabricant IXYS Corporation
La description MOSFET N-CH 500V 40A TO-247 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 8364 pcs Fiche technique IXT(H,Q,T)40N50L2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH) Séries Linear L2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 20A, 10V Dissipation de puissance (max) 540W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10400pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 320nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 500V
Description détaillée N-Channel 500V 40A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc)

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