IXTP08N120P
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| Référence | IXTP08N120P |
|---|---|
| Fabricant | IXYS Corporation |
| La description | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.946 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IXTP08N120P | Fabricant | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 40950 pcs | Fiche technique | IXT(A,P)08N120P |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220AB | Séries | Polar™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 Ohm @ 500mA, 10V | Dissipation de puissance (max) | 50W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 24 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 333pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 1200V | Description détaillée | N-Channel 1200V 800mA (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 800mA (Tc) |
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- Partie#:
SGE-225-0-0410L 10000C-10000C - Fabricant:
Omron Automation & Safety - La description:
SGE-225-0-0410L 10000C-10000C - En stock:
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