IXTP2N80
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| Référence | IXTP2N80 |
|---|---|
| Fabricant | IXYS Corporation |
| La description | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 200 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.901 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IXTP2N80 | Fabricant | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 39265 pcs | Fiche technique | IXT(A,P)2N80 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220AB | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2 Ohm @ 500mA, 10V | Dissipation de puissance (max) | 54W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 800V |
| Description détaillée | N-Channel 800V 2A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2A (Tc) |
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