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IXTY26P10T

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Référence IXTY26P10T
Fabricant IXYS Corporation
La description MOSFET P-CH 100V 26A TO-252
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 32659 pcs
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Référence IXTY26P10T Fabricant IXYS Corporation
La description MOSFET P-CH 100V 26A TO-252 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 32659 pcs Fiche technique IXT(Y,A,P)26P10T
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±15V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-252 Séries TrenchP™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 13A, 10V Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3820pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V type de FET P-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V Description détaillée P-Channel 100V 26A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Tc)

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