IXFX24N100F
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| Référence | IXFX24N100F |
|---|---|
| Fabricant | IXYS RF |
| La description | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $10.884 | $9.25 | $8.597 | |||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IXFX24N100F | Fabricant | IXYS RF |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4600 pcs | Fiche technique | IXFK24N100F, IXFX24N100F |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PLUS247™-3 | Séries | HiPerRF™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 12A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 560W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 14 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 1000V | Description détaillée | N-Channel 1000V 24A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 24A (Tc) |
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