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AUIRF1018E

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Référence AUIRF1018E
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 83531 pcs
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Référence AUIRF1018E Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 83531 pcs Fiche technique AUIRF1018E Overview
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur TO-220AB
Séries HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4 mOhm @ 47A, 10V
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Autres noms SP001519520
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2290pF @ 50V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension drain-source (Vdss) 60V Description détaillée N-Channel 60V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 79A (Tc)

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