AUIRF7343Q
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| Référence | AUIRF7343Q |
|---|---|
| Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| La description | MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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- Fiche technique
Product parameter
| Référence | AUIRF7343Q | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5755 pcs | Fiche technique | AUIRF7343Q |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Package composant fournisseur | 8-SO | Séries | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V | Puissance - Max | 2W |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms | SP001517318 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V | type de FET | N and P-Channel |
| Fonction FET | Logic Level Gate | Tension drain-source (Vdss) | 55V |
| Description détaillée | Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4.7A, 3.4A |
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