AUIRF7799L2TR
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| Référence | AUIRF7799L2TR |
|---|---|
| Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| La description | MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 4000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.125 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | AUIRF7799L2TR | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 29618 pcs | Fiche technique | AUIRF7799L2TR(1) |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | DIRECTFET L8 | Séries | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38 mOhm @ 21A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 4.3W (Ta), 125W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | DirectFET™ Isometric L8 |
| Autres noms | SP001522796 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6714pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 250V | Description détaillée | N-Channel 250V 375A (Tc) 4.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 375A (Tc) |
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