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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > AUIRL3705Z

AUIRL3705Z

AUIRL3705Z
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Référence AUIRL3705Z
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 55V 86A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 65000 pcs
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Référence AUIRL3705Z Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 55V 86A TO-220AB État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 65000 pcs Fiche technique AUIRL3705Z(S,L)
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 52A, 10V Dissipation de puissance (max) 130W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms SP001519682 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2880pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 5V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 55V Description détaillée N-Channel 55V 75A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)

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