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BCR133SH6327XTSA1

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Référence BCR133SH6327XTSA1
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 736916 pcs
Référence Prix
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Référence BCR133SH6327XTSA1 Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 736916 pcs Fiche technique BCR133
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur PG-SOT363-6 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Puissance - Max 250mW Emballage Original-Reel®
Package / Boîte 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Autres noms BCR 133S H6327DKR
BCR 133S H6327DKR-ND
BCR133SH6327XTSA1DKR
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 130MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) - Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base BCR133S

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