BSC090N03MSGATMA1
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| Référence | BSC090N03MSGATMA1 |
|---|---|
| Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| La description | MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.101 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | BSC090N03MSGATMA1 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 210829 pcs | Fiche technique | BSC090N03MS G |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TDSON-8 | Séries | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 30A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 32W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
| Autres noms | BSC090N03MS G BSC090N03MSG BSC090N03MSGATMA1TR BSC090N03MSGINTR BSC090N03MSGINTR-ND BSC090N03MSGXT SP000313120 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | N-Channel 30V 12A (Ta), 48A (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 12A (Ta), 48A (Tc) |
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