IPB049N06L3GATMA1
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| Référence | IPB049N06L3GATMA1 |
|---|---|
| Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| La description | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IPB049N06L3GATMA1 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4731 pcs | Fiche technique | IPx049,52N06L3 G |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 58µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | D²PAK (TO-263AB) | Séries | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 80A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 115W (Tc) |
| Emballage | Original-Reel® | Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms | IPB049N06L3 GDKR IPB049N06L3 GDKR-ND IPB049N06L3GATMA1DKR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V | Description détaillée | N-Channel 60V 80A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
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