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IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1
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Référence IPB065N15N3GATMA1
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 23643 pcs
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Référence IPB065N15N3GATMA1 Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 23643 pcs Fiche technique IPB065N15N3 G
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO263-7 Séries OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 100A, 10V Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Autres noms IPB065N15N3 G
IPB065N15N3 G-ND
IPB065N15N3 GTR-ND
IPB065N15N3G
IPB065N15N3GATMA1TR
SP000521724
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7300pF @ 75V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 8V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 150V Description détaillée N-Channel 150V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 130A (Tc)

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