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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPB100N04S4H2ATMA1

IPB100N04S4H2ATMA1

IPB100N04S4H2ATMA1
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Référence IPB100N04S4H2ATMA1
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 66909 pcs
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Référence IPB100N04S4H2ATMA1 Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 66909 pcs Fiche technique IPx100N04S4-H2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 70µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 Séries OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 100A, 10V Dissipation de puissance (max) 115W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms IPB100N04S4-H2
IPB100N04S4-H2-ND
IPB100N04S4H2ATMA1TR
SP000711274		 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7180pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 40V Description détaillée N-Channel 40V 100A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)

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