IPB100N10S305ATMA1
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| Référence | IPB100N10S305ATMA1 |
|---|---|
| Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| La description | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.739 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IPB100N10S305ATMA1 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 41383 pcs | Fiche technique | IPx100N10S3-05 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO263-3-2 | Séries | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 100A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms | IPB100N10S3-05 IPB100N10S3-05-ND IPB100N10S3-05TR IPB100N10S3-05TR-ND IPB100N10S305 IPB100N10S305ATMA1TR SP000261243 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11570pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 176nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100V | Description détaillée | N-Channel 100V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
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