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IPB180N04S302ATMA1

IPB180N04S302ATMA1
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Référence IPB180N04S302ATMA1
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 47070 pcs
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Référence IPB180N04S302ATMA1 Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 47070 pcs Fiche technique IPB180N04S3-02
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 230µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO263-7-3 Séries OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 80A, 10V Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Autres noms IPB180N04S3-02
IPB180N04S3-02-ND
IPB180N04S3-02TR
IPB180N04S3-02TR-ND
IPB180N04S302
IPB180N04S302ATMA1TR
SP000254821
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 14300pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 210nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 40V Description détaillée N-Channel 40V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc)

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