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IPB80N06S2L09ATMA1

IPB80N06S2L09ATMA1
OMRON AUTOMATION & SAFETYLes images sont fournies à titre indicatif.
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Référence IPB80N06S2L09ATMA1
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 5619 pcs
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Référence IPB80N06S2L09ATMA1 Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5619 pcs Fiche technique IPB,IPP80N06S2L-09
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 125µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 Séries OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2 mOhm @ 52A, 10V Dissipation de puissance (max) 190W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms IPB80N06S2L-09
IPB80N06S2L-09-ND
IPB80N06S2L09ATMA1TR
SP000218743		 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2620pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 55V Description détaillée N-Channel 55V 80A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)

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