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IPD038N06N3GATMA1

IPD038N06N3GATMA1
OMRON AUTOMATION & SAFETYLes images sont fournies à titre indicatif.
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Référence IPD038N06N3GATMA1
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 70040 pcs
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Référence IPD038N06N3GATMA1 Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 70040 pcs Fiche technique IPD038N06N3 G
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO252-3 Séries OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 90A, 10V Dissipation de puissance (max) 188W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms IPD038N06N3 G
IPD038N06N3 G-ND
IPD038N06N3GATMA1TR
SP000397994		 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8000pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V Description détaillée N-Channel 60V 90A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc)

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