IPD088N06N3GBTMA1
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| Référence | IPD088N06N3GBTMA1 |
|---|---|
| Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| La description | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.437 | $0.388 | $0.306 | $0.238 | $0.188 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IPD088N06N3GBTMA1 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 113782 pcs | Fiche technique | IPD088N06N3 G |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 34µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO252-3 | Séries | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 50A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 71W (Tc) |
| Emballage | Cut Tape (CT) | Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | IPD088N06N3 GCT IPD088N06N3 GCT-ND IPD088N06N3GBTMA1CT |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V | Description détaillée | N-Channel 60V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
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