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IPD30N06S2L23ATMA1

IPD30N06S2L23ATMA1
OMRON AUTOMATION & SAFETYLes images sont fournies à titre indicatif.
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Référence IPD30N06S2L23ATMA1
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4037 pcs
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Référence IPD30N06S2L23ATMA1 Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4037 pcs Fiche technique IPD30N06S2L-23
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 50µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO252-3 Séries OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 22A, 10V Dissipation de puissance (max) 100W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms IPD30N06S2L-23CT
IPD30N06S2L-23CT-ND
IPD30N06S2L23ATMA1CT		 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1091pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 55V Description détaillée N-Channel 55V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)

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