IPD60R450E6ATMA1
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| Référence | IPD60R450E6ATMA1 |
|---|---|
| Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| La description | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IPD60R450E6ATMA1 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5794 pcs | Fiche technique | IPx60R450E6 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 280µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO252-3 | Séries | CoolMOS™ E6 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 3.4A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 74W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | IPD60R450E6ATMA1-ND IPD60R450E6ATMA1TR SP001117720 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600V | Description détaillée | N-Channel 600V 9.2A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9.2A (Tc) |
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