IPI90R1K2C3XKSA1
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| Référence | IPI90R1K2C3XKSA1 |
|---|---|
| Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| La description | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.387 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IPI90R1K2C3XKSA1 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 96187 pcs | Fiche technique | IPI90R1K2C3 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 310µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO262-3 | Séries | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 83W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Autres noms | IPI90R1K2C3 IPI90R1K2C3-ND SP000413724 SP000683080 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 900V | Description détaillée | N-Channel 900V 5.1A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5.1A (Tc) |
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