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IPN70R1K4P7SATMA1

IPN70R1K4P7SATMA1
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Référence IPN70R1K4P7SATMA1
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 263505 pcs
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Référence IPN70R1K4P7SATMA1 Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 263505 pcs Fiche technique IPN70R1K4P7SIPN70R1K4P7S
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
Vgs (Max) ±16V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-SOT223 Séries CoolMOS™ P7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 700mA, 10V Dissipation de puissance (max) 6.2W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte SOT-223-3
Autres noms IPN70R1K4P7SATMA1-ND
IPN70R1K4P7SATMA1TR
SP001657492		 Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 158pF @ 400V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 700V Description détaillée N-Channel 700V 4A (Tc) 6.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)

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