IPP023NE7N3 G
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| Référence | IPP023NE7N3 G |
|---|---|
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IPP023NE7N3 G | Fabricant | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5641 pcs | Fiche technique | IPP023NE7N3 G, IPI023NE7N3 G |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Test | 14400pF @ 37.5V |
| Tension - Ventilation | - | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Séries | OptiMOS™ |
| État RoHS | Cut Tape (CT) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120A (Tc) |
| Polarisation | TO-220-3 | Autres noms | IPP023NE7N3 GCT |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Référence fabricant | IPP023NE7N3 G |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 206nC @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8V @ 273µA |
| Fonction FET | N-Channel | Description élargie | N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole |
| Tension drain-source (Vdss) | - | La description | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 75V | Ratio de capacité | 300W (Tc) |
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