IPSH4N03LA G
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| Référence | IPSH4N03LA G |
|---|---|
| Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| La description | MOSFET N-CH 25V 90A IPAK |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IPSH4N03LA G | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 25V 90A IPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4749 pcs | Fiche technique | IPD,IPSH4N03LA G |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO251-3 | Séries | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 60A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 94W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Autres noms | IPSH4N03LA G-ND IPSH4N03LAG IPSH4N03LAGX SP000016331 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 5V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 25V | Description détaillée | N-Channel 25V 90A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 90A (Tc) |
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