IPW60R160P6FKSA1
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| Référence | IPW60R160P6FKSA1 |
|---|---|
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | MOSFET N-CH 600V TO247-3 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.225 | $1.101 | $0.902 | $0.768 | $0.648 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IPW60R160P6FKSA1 | Fabricant | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 57058 pcs | Fiche technique | IPx60R160P6 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Test | 2080pF @ 100V |
| Tension - Ventilation | PG-TO247-3 | Vgs (th) (Max) @ Id | 160 mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (Max) | 10V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries | CoolMOS™ P6 | État RoHS | Tube |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23.8A (Tc) | Polarisation | TO-247-3 |
| Autres noms | SP001017092 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 12 Weeks | Référence fabricant | IPW60R160P6FKSA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 44nC @ 10V | type de IGBT | ±20V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5V @ 750µA | Fonction FET | N-Channel |
| Description élargie | N-Channel 600V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 | Tension drain-source (Vdss) | - |
| La description | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 600V |
| Ratio de capacité | 176W (Tc) |
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