IRF3808LPBF
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| Référence | IRF3808LPBF |
|---|---|
| Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| La description | MOSFET N-CH 75V 106A TO-262 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 250 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.83 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IRF3808LPBF | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 75V 106A TO-262 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 41821 pcs | Fiche technique | IRF3808(S,L)PbF |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-262 | Séries | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 82A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 200W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Autres noms | *IRF3808LPBF | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5310pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 75V | Description détaillée | N-Channel 75V 106A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 106A (Tc) |
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