IRF6775MTR1PBF
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| Référence | IRF6775MTR1PBF |
|---|---|
| Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| La description | MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IRF6775MTR1PBF | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5764 pcs | Fiche technique | IRF6775MTRPBF |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | DIRECTFET™ MZ | Séries | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 5.6A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | DirectFET™ Isometric MZ |
| Autres noms | IRF6775MTR1PBFTR SP001551188 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1411pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 150V | Description détaillée | N-Channel 150V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4.9A (Ta), 28A (Tc) |
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