IRF7828PBF
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| Référence | IRF7828PBF |
|---|---|
| Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| La description | MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IRF7828PBF | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4838 pcs | Fiche technique | IRF7828PbF |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-SO | Séries | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 10A, 4.5V | Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms | *IRF7828PBF SP001560040 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 5V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | N-Channel 30V 13.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 13.6A (Ta) |
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