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IRFH8303TRPBF

IRFH8303TRPBF
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Référence IRFH8303TRPBF
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 85417 pcs
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Référence IRFH8303TRPBF Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 30V 100A PQFN État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 85417 pcs Fiche technique IRFH8303TRPbF
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 150µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) Séries HEXFET®, StrongIRFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 mOhm @ 50A, 10V Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 156W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte 8-PowerTDFN
Autres noms IRFH8303TRPBFCT Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7736pF @ 24V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 179nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V Description détaillée N-Channel 30V 43A (Ta), 100A (Tc) 3.7W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 43A (Ta), 100A (Tc)

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