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IRFS3307

IRFS3307
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Référence IRFS3307
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 4733 pcs
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Référence IRFS3307 Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 4733 pcs Fiche technique IRFB3307, IRFS(L)3307
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D2PAK Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3 mOhm @ 75A, 10V Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms *IRFS3307 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5150pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 75V Description détaillée N-Channel 75V 130A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 130A (Tc)

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