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IRFS7730PBF

IRFS7730PBF
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Référence IRFS7730PBF
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 37357 pcs
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Référence IRFS7730PBF Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 37357 pcs Fiche technique IRF(B,S,SL)7730PbF
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263AB) Séries HEXFET®, StrongIRFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 100A, 10V Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms SP001571682 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13660pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 407nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 75V Description détaillée N-Channel 75V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 195A (Tc)

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