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IRLR2908TRLPBF

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Référence IRLR2908TRLPBF
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 98428 pcs
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Référence IRLR2908TRLPBF Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 80V 30A DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 98428 pcs Fiche technique IRLR2908PbF, IRLU2908PbF
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D-Pak Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 23A, 10V Dissipation de puissance (max) 120W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms IRLR2908TRLPBFTR
SP001567286		 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1890pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 4.5V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 80V Description détaillée N-Channel 80V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)

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