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IRLR8113

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Référence IRLR8113
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 4546 pcs
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Référence IRLR8113 Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 30V 94A DPAK État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 4546 pcs Fiche technique IRLR8113, IRLU8113
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D-Pak Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 15A, 10V Dissipation de puissance (max) 89W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms *IRLR8113 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2920pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 4.5V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V Description détaillée N-Channel 30V 94A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 94A (Tc)

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